PH1516-100 微波射频代理 RF微波器件

9月3日，国内微波/毫米波芯片创业团队迈矽科微电子在IC China 2019上海展会上重磅发布了基于团队技术研发的MSTR001、MSTR002两款车载防撞雷达单片收发芯片，引发了与会者和行业上下游的大关注。
“这两款芯片是迈矽科团队成立三年以来，坚持研发和投入的成果结晶，也是对迈矽科团队成员十余年技术积累的一个验证。我们可以给行业级客户提供成熟的产品测试使用，迈矽科希望与大家一道，共同推动中国在无人驾驶和芯片研发上的长足发展。”迈矽科团队创始人侯德彬在发布会上如是说。
自动驾驶分为Level0—Level5，其中Level0 指的是无自动驾驶，即人工驾驶；而汽车的驾驶辅助（Level1、Level2）中，需要包括摄像头、毫米波雷达等各种传感器的技术支持。从技术角度而言，MSTR001、MSTR002两款芯片能够满足Level1 AEC Q100车规等级要求。在关键指标上，迈矽科微电子毫米波雷达芯片的典型输出功率达到13dBm（全温度范围）并带有可调功率输出。发射链路可选择为双相调制（MSTR001）或者6-bit移相（MSTR002）输出。芯片同时包含了功率检测、温度传感与内建自检（BIST）的功能，可通过SPI接口进行灵活控制，主要参数均优于现有上现有产品。
此外，MSTR001、MSTR002两款芯片采用SiGe工艺与eWLB封装，内置了26GHz VCO与8分频输出，并可接收外部本振输入，从而可级联工作、构成大规模的雷达阵列，能够地满足汽车自适应巡航、防碰撞等需求。
据了解，车载毫米波雷达的工作原理为，通过天线向外发射毫米波，接收目标反射信号，经后方处理后快速准确地汽车车身周围的物理环境信息，然后根据所探知的物体信息进行目标追踪和识别分类，进而结合车身动态信息进行数据融合，*终通过*处理单元（ECU）进行智能处理。
关于毫米波雷达芯片的发展机会，曾有行业预测称，谁能在77GHz 频段中率先突围出来，谁就能掌握该项技术的主动权。而迈矽科本次发布的两款芯片，包括三个发射通道和四个接收通道，所有通道可立工作于76-81GHz频率范围内，在带宽、探测距离、功耗等方面优势显著。
毫米波雷达作为无人驾驶的关键底层支撑，是迈矽科自团队创立之前便持续深耕的领域，已拥有十余年的理论和技术积累。侯德彬在发布会上介绍说，本次发布的两款毫米波雷达芯片，相较于目前行业中在研或正在测试的其他同类产品，其可靠性高，而成本低，对数据的处理精准，算力强，未来也能匹配除无人驾驶之外多的应用场景。

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有**的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供大的功率密度和宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。

CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，率放大器在一个小封装在50欧姆。

Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有**的高频、功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。

Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供*佳的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供大的功率密度和宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。