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Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
Cree**执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显著扩大产能。与2017财年季度（也就是我们开始扩大产能的阶段）相比较，能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至长远的预期增长。”
这项计划将为业界的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料级工厂。
Cree**执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC碳化硅制造级工厂，将加速当今快增长市场的。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供先进技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”
扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

Qorvo的TGA2595是一款平衡Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺制造。 平衡配置支持低回波损耗，并提高了对非理想负载的鲁棒性。工作频率范围为27.5至31 GHz，饱和输出功率为9 W，功率附加效率为22％，信号增益为30 dB。 除了出色的线性特性外，TGA2595还非常适合支持商业和*相关的卫星通信。