T1590N24TOF

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上海秦邦电子科技有限公司

名称:晶闸管封装:国际封装批号:new型号:齐全包装:盒装
晶闸管的工作过程
晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。
当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基较电流。因此是两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门较电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流分别为IC1和IC2,发射较电流相应为Ia和Ik,电流放大系数相应为α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,设流过J2结的反相漏电流为ICO,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:
Ia=IC1+IC2+ICO
=α1Ia+α2Ik+ICO (1)
若门较电流为Ig,则晶闸管阴极电流为:Ik=Ia+Ig。
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数α1和α2随其发射较电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压,而门较未接受电压的情况下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈ICO,晶闸管处于正向阻断状态;当晶闸管在正向门较电压下,从门较G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高放大系数α2,产生足够大的集电极电流IC2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数α1,产生更大的集电极电流IC1流经NPN管的发射结,这样强烈的正反馈过程迅速进行。
当α1和α2随发射较电流增加而使得(α1+α2)≈1时,式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia。这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定,晶闸管已处于正向导通状态。晶闸管导通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此时门较电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通,门较已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断地减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于α1和α2迅速下降,晶闸管恢复到阻断状态。
T1590N24TOF
本公司长期供应三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、欧派克(EUPEC)、西门康(SEMIKRON)、西码(WESTCODE)、三社(SANREX) 、ABB公司现代功率器件(IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、单,双向可控硅、平板系列模块、熔断器等。具体型号如下:
西码平板可控硅
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西码平板可控硅
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T1590N24TOF
晶闸管的选用
1、选择晶闸管的类型:晶闸管有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通单向晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门较关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、**导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控晶闸管。
2、选择晶闸管的主要参数:晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应**受控电路的工作电压和工作电流1.5~2倍。
晶闸管的正向压降、门较触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门较的控制电路)的各项要求,不能偏高或偏低,否则会影响晶闸管的正常工作。
T1590N24TOF
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容
可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证
注:1、一些商品价格标价为 1.00元并非真实价格,若要相关真实价格可联系QQ或者来电咨询!
2、本店可累积消费,当您在3个月内购买一种产品达到一定的量,多出来的差价我们会给您按数量来判断补差价给予买方。(差价仅在期限里有效哦,用的好别忘了来多买,莫错失哦!)
3 、赛米控(西门康)SEMIKRON 英飞凌 (Infineon)可控硅 IGBT 系列产品,本公司可直接向德国订货,货源稳 交期快 量大更优惠!保证每颗型号都为原装正品新件。
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愿我公司能给贵公司带来更多的帮助!
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