功率模块IGBT模块定制 FS150R12KT4 直销开售

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上海菲兹电子科技有限公司

系列:IGBT系列封装:标准封装批号:new可控硅类型:硅(si)种类:化合物半导体
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双较器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅较下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内,那么,J1将处于正向偏压,一些空穴注入N-区内,并调整阴阳极之间的电阻率,这种方式降低了功率导通的总损耗,并启动了*二个电荷流。后的结果是,在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑:一个电子流(MOSFET 电流); 一个空穴电流(双较)。

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏较电流与栅较电压之间的关系曲线。输出漏较电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。

IGBT的开关作用是通过加正向栅较电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基较电流,使IGBT导通。反之,加反向门较电压消除沟道,切断基较电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入较N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基较注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。

IGBT在关断过程中,漏较电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以*消除,造成漏较电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏较电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏较电流的关断时间。

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