专利名称:平板式可控硅的制作方法
技术领域:
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术:
可控硅又称晶间管,晶间管整流器具有耐压高、容量大、效率高、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点,发展迅猛。在世纪应用中,大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅,其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式,虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热,但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点,其加工要求非常高,且封装时需要经过焊接在内的多道工序,工艺复杂,成本高,封装后良率偏低,返工需破坏性地拆封。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
●DT系列二极管+可控硅混合模块( Diode SCR Phase Control )
DT210N12-18KOF DT250N12-18KOF DT285N12-16KOF DT310N20-26KOF
DT425N10-18KOF DT500N12-18KOF
欧派克(EUPEC)可控硅,可控硅模块,混合模块
●T系列相控可控硅(Phase Control Thyristors)—环氧平板型
T348N02-06TOF T568N02-06TOF T828N02-06TOF T1078N02-06TOF
T1258N02-06TOF T3709N02-06TOF T178N06-18TOF T218N06-18TOF
T298N06-16TOF T358N06-18TOF T378N12-16TOF T388N06-18TOF
T508N12-18TOF T509N12-18TOF T588N06-18TOF T589N06-18TOF
T618N06-14TOF T619N06-14TOF T718N06-16TOF T878N12-18TOF
T879N12-18TOF T1049N12-18TOF T1189N12-18TOF T1509N12-18TOF
T1989N12-18TOF T3159N12-18TOF T1500N12-18TOF
德国西门康SEMIKRON可控硅
●SKT系列相控可控硅(Phase Control Thyristors)——平板型
●SKN普通二极管(Rectifier Diodes)——平板型(适于电焊机)