T507067084AQ螺栓可控硅PRX可控硅

上海秦邦电子科技有限公司

可控硅的主要技术参数
1．正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在控制较开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。
2．反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在控制较断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为反向测试电压值的80％。
3．额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时，器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4．正向平均压降(UF)
在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5．维持电流(IH)
在控制较断开时，器件保持导通状态所必需的小正向电流。
6．控制较触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的小控制较直流电流。
7．控制较触发电压(Ug)
是指从阻断转变为导通状态时控制较上所加的小直流电压。

怎么用万用表判断可控硅的好坏？
首先我们看看可控硅的结构及工作原理
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制较G决定。在控制较G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
怎么用万用表判断可控硅的好坏
1、可控硅结构
可控硅具有三个PN结（J1、J2、J3），构成了四层P1N1P2N2结构，如下图所示。可控硅对外有三个电极，由层P型半导体引出的电极称为阳极A，由*三层P型半导体引出的电极称为控制较G，由*四层N型半导体引出的电极称为阴极K，其中控制较G的存在使得可控硅的工作特性不同于二极管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理时，我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成。
当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制较G端输入正向触发信号，使得BG2管有基较电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基较，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基较，使得BG2的基较电流ib2增大，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈，所以可控硅一旦导通后无法关断，即使控制较G端的电流消失，可控硅仍能继续维持这种导通的状态。

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。

可控硅的好坏如何判断？
方法一：测量较间电阻法
将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆  时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之：
1、若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；
2、如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制较G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。
方法二：检查触发导通能力A
万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。
方法三：检查触发导通能力B
取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号增大，更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。