西门康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
西门康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
西门康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
西门康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
西门康semikron可控硅 西门康SEMIKRON晶闸管
西门康semikron可控硅 西门康SEMIKRON晶闸管
西门康semikron可控硅 西门康SEMIKRON晶闸管
西门康semikron可控硅 西门康SEMIKRON晶闸管
SKT340/12E SKT340/14E SKT340/16E SKT340/18E SKT491/04E SKT491/06E
SKT491/08E SKT491/10ESKT491/12E SKT491/14E SKT491/16E SKT491/18E
SKT551/08E SKT551/10E SKT551/12E SKT551/14ESKT551/16E SKT551/18E
SKT600/08E SKT552/16E SKT600/10E SKT600/12E SKT600/14E SKT600/16E
SKT600/18E SKT760/04E SKT760/06E SKT760/08E SKT760/10E SKT760/12E
SKT760/14E SKT760/16E SKT760/18E SKT1000/12E SKT1202/20E SKT2500/16E
SKT1000/16E SKT1000/18E SKT1000/20ESKT1000/22E SKT1000/24E
SKT1000/26E SKT1000/28E SKT1200/12E SKT1200/14E SKT1200/16E
SKT1200/18E SKT1400/26E SKT1400/28E SKT1400/30E SKT1400/32E
SKT1400/34E SKT1400/36ESKT1800/12E SKT1800/14E SKT1800/16E
SKT2000/22E SKT2000/24E SKT2000/26E SKT2000/28E SKT2400/12E
SKT2400/14E SKT2400/16E SKT2400/18E SKT1000/12E SKT1000/14E
赛米控模块西门康可控硅SKKT500/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
可控硅的主要参数:1.正向阻断峰值电压(VPFU) 是指在控制较开路及正向阻断条件下,可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80%。2.反向阻断峰值电压(VPRU) 它是指在控制较断路和额定结温度下,可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为反向测试电压值的80%。3.额定正向平均电流(IF) 在环境温度为+40C时,器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率.一般为50Hz或60Hz,我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。4.正向平均压降(UF) 在规定的条件下,器件通以额定正向平均电流时,在阳极与阴极之间电压降的平均值。5.维持电流(IH) 在控制较断开时,器件保持导通状态所必需的较小正向电流。6.控制较触发电流(Ig) 阳极与阴极之间加直流6V电压时,使可控硅完全导通所必需的较小控制较直流电流。 7.控制较触发电压(Ug) 是指从阻断转变为导通状态时控制较上所加的较小直流电压。