111RKI40PBF螺栓可控硅

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怎么用万用表判断可控硅的好坏？
首先我们看看可控硅的结构及工作原理
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制较G决定。在控制较G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
怎么用万用表判断可控硅的好坏
1、可控硅结构
可控硅具有三个PN结（J1、J2、J3），构成了四层P1N1P2N2结构，如下图所示。可控硅对外有三个电极，由层P型半导体引出的电极称为阳极A，由*三层P型半导体引出的电极称为控制较G，由*四层N型半导体引出的电极称为阴极K，其中控制较G的存在使得可控硅的工作特性不同于二极管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理时，我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成。
当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制较G端输入正向触发信号，使得BG2管有基较电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基较，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基较，使得BG2的基较电流ib2增大，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈，所以可控硅一旦导通后无法关断，即使控制较G端的电流消失，可控硅仍能继续维持这种导通的状态。

智能可控硅模块在各行业的应用广泛，如;电解、电镀、调温、调光、电焊、蓄电池充放电、直流电机调速、交流电机软起动、稳压电源装置、励磁等。据有关单位提供的信息来看，智能可控硅模块主要有以下特点：
1、采用进口玻璃钝化方芯片，模块导通压降小，功耗低，节能效果显着。
2、控制触发电路采用进口贴片元器件组装，全部元器件进行高温老化筛选，可靠性高。
3、采用陶瓷覆铜工艺，焊接工艺*特，绝缘强度高，导热性能好，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍。
4、控制触发电路，主电路，导热底板之间相互绝缘，介电强度≥2500ⅤAC 导热底板不带电，安全可靠。
5、控制端口输入0-10V直流信号，可对主电路输出进行平滑调节。
6、控制方式可为：手动电位器控制;仪表控制;微机控制;PLC控制等。
7、适用于阻性或感性负载。

可控硅的主要技术参数
1．正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在控制较开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。
2．反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在控制较断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为反向测试电压值的80％。
3．额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时，器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4．正向平均压降(UF)
在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5．维持电流(IH)
在控制较断开时，器件保持导通状态所必需的小正向电流。
6．控制较触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的小控制较直流电流。
7．控制较触发电压(Ug)
是指从阻断转变为导通状态时控制较上所加的小直流电压。

晶闸管模块就是将晶闸管主电路与移相触发电路以及具有控制功能的电路封装在同一外壳内的新型模块。该模块实际上已是一个准电力电子装置，不论在体积、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面与传统装置却有很大优势，安装、使用特别方便。晶闸管模块的应用范围主要包括：
较为完整的晶闸管模块一般由电力晶闸管、移相触发器、软件控制的单片机、电流、电压、温度传感器以及操作键盘、LED或LCD显示等部分组成。主要应用于固态接触器、继电器、工业电热控温、各种半各体设备精密控温、中、高频热处理电源、电焊设备(整流焊机、二次整流焊机、逆变焊机)激光电源、励磁电源、电镀、电解电源、机械电子设备电源、城市无轨、电动牵引、港口轮船起货机、风机、水泵、轨机、龙门刨、大吊车驱动、**低频钢水、搅拌电源、造纸、纺织。城市供水、污水处理等，可以说在配电系统内的电气控制晶闸管模块都有作为。
体积小，功能齐全，联线简单，控制方便，性能稳定可靠是晶闸管模块的特点，而增大容量，扩大功能，降低成本，系列化是晶闸管模块今后发展趋势。