系列:IGBT系列封装:标准封装批号:new可控硅类型:硅(si)种类:化合物半导体
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
IGBT 的开关特性是指漏较电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值较低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件,德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用,日本东芝也已涉足该领域。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国*的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双较型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过*鉴定,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显**GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间,但关断时间随栅较和发射较并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3~4V,和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近,饱和压降随栅较电压的增加而降低。
IGBT的开关作用是通过加正向栅较电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基较电流,使IGBT导通。反之,加反向门较电压消除沟道,切断基较电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入较N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基较注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
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主要经营熔断器(fuse)是指当电流**过规定值时,以本身产生的热量使熔体熔断,断开电路的一种保护器件。
熔断器通常采用低熔点的铅锡合金、锌、铜、等材料制成,广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中。。