T507068064AQ螺栓可控硅PRX可控硅

上海秦邦电子科技有限公司

智能可控硅模块在各行业的应用广泛，如;电解、电镀、调温、调光、电焊、蓄电池充放电、直流电机调速、交流电机软起动、稳压电源装置、励磁等。据有关单位提供的信息来看，智能可控硅模块主要有以下特点：
1、采用进口玻璃钝化方芯片，模块导通压降小，功耗低，节能效果显着。
2、控制触发电路采用进口贴片元器件组装，全部元器件进行高温老化筛选，可靠性高。
3、采用陶瓷覆铜工艺，焊接工艺*特，绝缘强度高，导热性能好，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍。
4、控制触发电路，主电路，导热底板之间相互绝缘，介电强度≥2500ⅤAC 导热底板不带电，安全可靠。
5、控制端口输入0-10V直流信号，可对主电路输出进行平滑调节。
6、控制方式可为：手动电位器控制;仪表控制;微机控制;PLC控制等。
7、适用于阻性或感性负载。

单向可控硅和双向可控硅
可控硅分为单向可控硅和双向可控硅
单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制较(G)
双向可控硅在测试中任何两较间的正反向电阻都较小。
双向可控硅的测量
双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T1较，其中一只单向可控硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2较，剩下则为控制较(G)
单、双向可控硅的判别：先任测两个较，若正、反测指针均不动(R×1挡)，对于单向可控硅可能是A、K或G、A较也可能是T2、T1或T2、G较(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅，且红笔所接为K较，黑笔接的为G较，剩下即为A较。
若正、反向测量，指示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G较，黑笔所接为T1较，余下是T2较。

可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制较(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时(若控制较不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制较上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通，控制较便失去其控制作用。就是说，导通后撤去栅较电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

可控硅的主要技术参数
1．正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在控制较开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。
2．反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在控制较断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为反向测试电压值的80％。
3．额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时，器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4．正向平均压降(UF)
在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5．维持电流(IH)
在控制较断开时，器件保持导通状态所必需的小正向电流。
6．控制较触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的小控制较直流电流。
7．控制较触发电压(Ug)
是指从阻断转变为导通状态时控制较上所加的小直流电压。