大连二极管出售

  • 440
  • 产品价格:88.00 元/个
  • 发货地址:上海奉贤 包装说明:不限
  • 产品数量:9999.00 个产品规格:不限
  • 信息编号:183538020公司编号:2380357
  • 林女士 销售部经理 微信 15995613456
  • 进入店铺 在线留言 QQ咨询  在线询价
    相关产品:

上海秦邦电子科技有限公司

品牌:vishay批号:new封装:国际封装系列:VSKC型号:VSKC250-12
主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、整流电流IF
是指二极管长期连续工作时,允许通过的正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度**过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要**过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温(25℃)和反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是**过此值。则单向导电性将受影响。
6,电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
 EUPEC二极管模块:DD Series---- Diode / Diode Phase Control  双二极管模块
DD89N12K
DD89N14K
DD89N16K
DD89N18K  
DD98N20K
DD98N22K
DD98N24K
DD98N25K  
DD104N12k
DD104N14k
DD104N16k
DD104N18K  
DD106N12K
DD106N14K
DD106N16K
DD106N18K
DD106N20K
DD106N22K  
DD151N12K
DD151N14K
DD151N16K
DD151N18K
DD151N20K
DD151N22K  
DD171N12K
DD171N14K
DD171N16K
DD171N18K  
DD175N28K
DD175N30K
DD175N32K 
DD175N34K  
DD231N20K
DD231N22K
DD231N24K
DD231N26K  
DD260N12K
DD260N14K
DD260N16K
DD260N18K  
DD261N22K
DD261N24K
DD261N26K  
DD285N04K
DD285N06K
DD285N08K  
DD350N12K
DD350N14K
DD350N16K
DD350N18K  
DD435N28K
DD435N30K
DD435N32K
DD435N34K
DD435N36K
DD435N38K
DD435N40K  
DD540N20K
DD540N22K
DD540N24K
DD540N26K  
DD600N12K
DD600N14K
DD600N16K
DD600N18K
大连二极管出售
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值,反向电流会急剧,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
PROTON二极管
二极管模块
MD3-660-18-A2-N
MD3-580-26-A2-N
MD3-470-44-A2-N
MD3-320-65-A2-N
MD3-515-36-A2-N
MD3-380-52-A2-N
MD3-320-18-C-N
MD3-250-26-C-N
MD3-200-34-C-N
MD3-1000-28-D-N
MD3-800-44-D-N
MD1-950-44-E-N
MD1-1125-28-E-N
MD1-1280-22-E-N
MD3-245-18-F-N
MD3-215-22-F-N
MD3-175-28-F-N
MD3-155-36-F-N
大连二极管出售
正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值  ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新原装IXYS二极管模块
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B 
MDA72-14N1B 
MDA72-16N1B
MDD26-08N1B 
MDD26-12N1B
MDD26-14N1B 
MDD26-16N1B 
MDD26-18N1B 
MDD44-08N1B 
MDD44-12N1B
MDD44-14N1B 
MDD44-16N1B
MDD44-18N1B
MDD56-08N1B 
MDD56-12N1B
MDD56-14N1B 
MDD56-16N1B 
MDD56-18N1B
MDD72-08N1B 
MDD72-12N1B
MDD72-14N1B 
MDD72-16N1B
MDD72-18N1B
MDD95-08N1B 
MDD95-12N1B 
MDD95-14N1B 
MDD95-16N1B
MDD95-18N1B 
MDD95-20N1B
MDD95-22N1B
MDD142-08N1 
MDD142-12N1 
MDD142-14N1 
MDD142-16N1 
MDD142-18N1
MDD172-08N1 
MDD172-12N1 
MDD172-14N1 
MDD172-16N1 
MDD172-18N1
MDD220-08N1 
MDD220-12N1 
MDD220-14N1 
MDD220-16N1
MDD220-18N1
MDD250-08N1 
MDD250-12N1
MDD250-14N1 
MDD250-16N1
MDD255-12N1
MDD255-14N1 
MDD255-16N1
MDD255-18N1 
MDD255-20N1
MDD255-22N1 
MDD310-08N1 
MDD310-12N1 
MDD310-14N1 
MDD310-16N1 
MDD310-18N1
MDD310-20N1 
MDD310-22N1 
MDD312-12N1 
MDD312-14N1 
MDD312-16N1
MDD312-18N1 
MDD312-20N1 
MDD312-22N1 
MDD600-12N1 
MDD600-16N1
MDD600-18N1 
MDD600-22N1 
MDD950-12N1W 
MDD950-16N1W 
MDD950-18N1W
MDD950-22N1W 
MDO500-12N1
MDO500-14N1 
MDO500-16N1 
MDO500-18N1
大连二极管出售
击穿
外加反向电压**过某一数值时,反向电流会突然,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
西班牙二极管
CATELEC二极管
CDD36N12
CDD36N12B
CDD36N16
CDD36N16B
CDD60N12
CDD60N12B
CDD60N16
CDD60N16B
CDD70N12
CDD70N12B
CDD70N16
CDD70N16B
CDD100N12
CDD100N12B
CDD100N16
CDD100N16B
CDD120N12
CDD120N12B
CDD120N16
CDD120N16B
CDD165N12
CDD165N12B
CDD165N16
CDD165N16B
CDD165N12PT
CDD165N14PT
CDD165N16PT
CDD190N12
CDD190N12B
CDD190N16
CDD190N16B
CDD253N12
CDD253N14
CDD253N16
CDD253N12B
CDD253N14B
CDD253N16B
CDD253N12PT
CDD253N14PT
CDD253N16PT
CDD270N12
CDD270N12B
CDD270N16
CDD270N16B
CDD290N12
CDD290N12B
CDD290N16
CDD290N16B
CDD310N12
CDD310N12B
CDD310N16
CDD310N16B
CDD320N12
CDD320N14
CDD320N16
CDD320N12B
CDD320N14B
CDD320N16B
CDD600N16PT

关于八方 | 招贤纳士八方币招商合作网站地图免费注册商业广告友情链接八方业务联系我们汇款方式投诉举报
八方资源网联盟网站: 八方资源网国际站 粤ICP备10089450号-8 - 经营许可证编号:粤B2-20130562 软件企业认定:深R-2013-2017 软件产品登记:深DGY-2013-3594 著作权登记:2013SR134025
互联网药品信息服务资格证书:(粤)--非经营性--2013--0176
粤公网安备 44030602000281号
Copyright © 2004 - 2024 b2b168.com All Rights Reserved