TGA2501-TS微波射频代理 RF微波器件

TGA4508主要特点
•典型频率范围：30  -  42 GHz
•21 dB标称增益
•2.8 dB标称噪声系数
•14 dBm标称P1dB @ 38 GHz
•偏置3 V，40 mA
•0.15um 3MI pHEMT技术
•芯片尺寸1.7 x 0.8 x 0.1 mm
（0.067 x 0.031 x 0.004）in
主要应用
•点对点无线电
•点对多点无线电
•Ka Band VSAT

在物联网时代，人们的位置、去向、生理讯号以及安全状况等信息将会对IoT智能楼宇产生重要影响，监测并追踪他们在室内外的活动可以大大提高系统的智能化程度，照明、电梯、自动门、空调系统和系统可以根据实际使用情况加有效的工作。未来的智能楼宇系统将会使用智能传感器来自动调整，从而提率及舒适性并减少浪费。
目前楼宇自动化的感测技术包括红外线（PIR）、摄像机（IP Cam）等，这些技术在准确性、隐私性、环境稳定性等各方面都面临着挑战，故其无法有效地满足真正智能化的要求。
毫米波（mmWave）是一种使用短波长电磁波的技术。系统发射的电磁波信号被其发射路径上的物体阻挡继而会发生反射，通过捕捉反射的信号，系统可以确定物体的距离、速度和角度。短波长的另一项优势是高准确度，工作频率为76-81GHz（对应波长约为4mm）的毫米波系统将能够检测小至零点几毫米的移动。
由大世平推出的基于TI产品的毫米波传感器，能够克服楼宇自动化中感测方面的难题。毫米波技术可以提供感测范围内的物置和速度信息的点云（Point Cloud），该技术使用高射频，即使在各种户外气象环境如强光、黑暗、雾气、烟雾和降水中依旧表现出色。
在人数统计方案中，IWR 1642管理着所有用来追踪和统计的软件，*外部处理器，仅需一个PC用于可视化和配置（GUI）。
技术优势
 76 GHz至81 GHz，提供4 GHz可用带宽；
 TX功率：12.5 dBm；
  RX噪声指数：
14 dB（76 GHz至77 GHz）；
15 dB（77 GHz至81 GHz）；
1 MHz时的相位噪声：
-95 dBc/Hz（76 GHz至77 GHz）；
-93 dBc/Hz（77 GHz 至81GHz）；
 4 RX，2 TX；
 内含C674x DSP，用于FMCW讯号处理；
 内含Cortex-R4F微控制器，用于物体追踪和分类以及接口的控制。
方案规格
 直接通过WiFi或UART读取数值；
 基本毫米波传感器模块可提供对象角度、速度、距离信息，根据人员计数应用，软件提供计算后的数值；
 此方案可整合生理讯号量测功能，除人员计数外，还可对特定空间的人员进行生理讯号量测。

面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率越大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州顿——（2019年微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，*多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有的功率附加效率。与硅或化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供大的功率密度和宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。