PTMA080152M-V1-R516 cree代理

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深圳市希罗斯科技有限公司

厂牌:Cree/科锐产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管晶体管类型:HEMT技术:GaN商标:Wolfspeed / Cree工厂包装数量:10子类别:Transistors
深圳市希罗斯科技有限公司是一家主营Xilinx/Broadcom/Altera/AD/TI的分销商, 为国内研究所机构及高等院校提供一站式服务平台。型号齐全,长期供应,信誉度高。我们能提供的产品广泛,应用于航空**、船舶、汽车电子、计算机、铁路、电子、通信网络、电力工业以及大型工业设备等。深圳市希罗斯科技有限公司坚守以客户,质量,信誉的原则,层层把关渠道,把控质量,每片产品来源可追溯,得到了广大客户的认可和支持。
产品定位:工业级及以上电子元器件。
主营产品:FPGA,AD/DA转换器,DSP,嵌入式可编程门阵,运算放大器,开发板等。
CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高,其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz,如此高的工作频率范围,使得该系列器件可以应用于卫星通信以及视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时,其信号增益系数小可以达到11.5dB和13dB。

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 与硅或化镓相比,GaN具有优异的性能,包括高的击穿电压,高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比,GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V,源漏电压分别为125V和100V,较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V,较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时,其大栅电流为41.6mA/14.4mA,漏电流为17A和6A。

CGH40045F-TB漏级偏置电路采用对称设计,主要分析原因在于降低偏置网络阻抗,提高视频带宽VBW,从而减小功放管的电记忆效应。
当功放管在数字预失真方案中,减小记忆效应对功放的影响显的尤为重要,偏置电路是记忆效应的一个重要来源,现实中,功率管的漏到电源之间的电路阻抗(video impedance)在低频(VBW 10MHz)时并非为0,该阻抗的存在使得加载到功率管漏的电压并非是个恒定值,而是随着功放输入信号变化。
欢迎来到深圳市希罗斯科技有限公司网站,我公司位于经济发达,交通发达,人口密集的中国经济中心城市—深圳。 具体地址是广东深圳福田区滨河大道5022号联合广场A座2609室,联系人是王小姐。
联系电话是19129358089, 主要经营深圳市希罗斯科技有限公司主营:DSP数字信号处理器、FPGA赛灵思、放大器、数模转换器DAC、微波射频、IC芯片、电子元器件、集成电路等产品。价格实惠,质量有保证,欢迎在线咨询。。
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