MCD56-14io8B二极管厂家 供应直销二极管

上海菲兹电子科技有限公司代理功率半导体产品及配套器件，的IGBT以及配套驱动网上供应商，是功率半导体行业企业。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时菲兹与多家电力电子行业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、富士通、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的诚信代理商和分销商。通过多年的实战经验，菲兹人积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、变频器、高频感应加热、逆变电源、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提技术支持！
反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

在稳压电路中通常需要使用齐纳二极管，它是一种利用工艺制造的面结型硅把半导体二极管，这种二极管杂质浓度比较高，空间电荷区内的电荷密度大，*形成强电场。当齐纳二极管两端反向电压加到某一值，反向电流急增，产生反向击穿。

正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。
我司主营产品如下：
1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；
2、CDE、EACO、日立全系列电容产品；
3、富士、三菱、英飞凌、西门康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；
4、建准全系列风机；
5、CONCEPT及驱动板；
6、富士通单片机及其它配套产品；