深圳市希罗斯科技有限公司是一家主营Xilinx/Broadcom/Altera/AD/TI的分销商, 为国内研究所机构及高等院校提供一站式服务平台。型号齐全,长期供应,信誉度较高。我们能提供的产品广泛,应用于航空航天、船舶、汽车电子、计算机、铁路、电子、通信网络、电力工业以及大型工业设备等。深圳市希罗斯科技有限公司坚守以客户,质量,信誉的原则,层层把关渠道,把控质量,每片产品来源可追溯,得到了广大客户的认可和支持。
产品定位:工业级及以上电子元器件。
优势产品系列:Artix-7/Kintex-7/Spartan-6/Kintex UltraScale/Virtex UltraScale/Virtex-7/ZYNQ Ultrascale/Zynq-700/*级XQ系列/ 开发板及套件。
Spartan-6系列
作为Spartan FPGA系列的*六代产品,Spartan-6 FPGA系列采用可靠的低功耗45nm 9层金属布线双层氧化工艺技术生产。 这一新系列产品实现了低风险、低成本、低功耗以及高性能的平衡。 Spartan-6 FPGA系列的双寄存器6输入LUT(查找表)逻辑结构利用了可靠成熟的Virtex架构,支持跨平台兼容性以及优化系统性能。 丰富的内建系统级模块包括DSP逻辑片、高速收发器以及PCI Express®接口内核,也源于Virtex系列,能够提供更高程度的系统级集成。
Spartan-6 FPGA系列针对成本和功率敏感的市场(如汽车、平板显示以及视频)采用了技术。 新的高性能集成存储器控制器支持DDR、DDR2、DDR3和移动 DDR存储器,硬内核的多端口总线结构能够提供可预测的时序和高达DDR2/DDR3 800 (400MHz)的性能。 在设计向导的支持下,为Spartan-6 FPGA构建存储控制器的过程变得非常简单和直接。
功率管理技术方面的创新以及可选的1.0v低功耗内核使得Spartan-6 FPGA能够比**代Spartan系列功耗降低多达65%。 快速灵活的I/O支持**过12Gbps的存储器访问带宽,兼容3.3v电压并且采用了更为绿色的RoHS兼容无铅封装。
赛灵思宣布 Virtex UltraScale+ 系列产品再添的高速运算新成员 — Virtex UltraScale+ VU57P FPGA。这是一款新型高带宽内存(HBM)组件,能够在较快速度、低延迟和较低功耗需求下传输大量数据。新型 Virtex UltraScale+ VU57P FPGA 融合了一系列强大的功能,适用于数据中心及有线与无线通信中要求严苛的众多应用。
与DDR4等分离式标准型内存(discrete commodity memories)相比,赛灵思 Virtex UltraScale+ VU57P FPGA 的内存带宽和容量大幅提高,是延迟敏感型工作负载的**选择,而在这些工作负载中,高速的数据传输量和快速内存是关键需求。它整合低功耗运算力与高达 460GB/s 的较高内存带宽和容量,同时采用的 PAM4 高速收发器,与主流 25G 收发器相比可实现两倍的传输速率。整合的 HBM 控制器和 AXI 埠交换器可提供对整个 16GB HBM 内存连续存取。
Xilinx PROM芯片介绍
赛灵思公司的Platform Flash PROM能为所有型号的Xilinx FPGA提供非易失性存储。全系列PROM的容量范围为1Mbit到32Mbit,兼容任何一款Xilinx FPGA芯片,具备完整的工业温度特性(-40°C 到 +85°C),支持IEEE1149.1所定义的JTAG边界扫描协议。
PROM芯片可以分成3.3V核电压的 系列和1.8V核电压的 系列两大类,前者主要面向底端引用,串行传输数据,且容量较小,不具备数据压缩的功能;后者主要面向的FPGA芯片,支持并行配置、设计修订(Designing Revisioning)和数据压缩(Compression)等功能,以容量大、速度快著称。
该系列包含XCF01S、XCF02S和XCF04S(容量分别为:1Mb、2Mb和4Mb),其共同特征有3.3V核电压,串行配置接口以及SOIC封装的VO20封装。系列有XCP08P、XCF16P和XCF32P(容量分别为:8Mb、16Mb和32Mb),其共同特征有1.8V核电压、串行或并行配置接口、设计修订、内嵌的数据压缩器、FS48封装或VQ48封装和内嵌振荡器。 内部控制信号、数据信号、时钟信号和JTAG信号的整体结构如图3-3所示,其的结构和更高的集成度在使用中带来了较大的灵活性。
Spartan-2E系列
Spartan-2E基于Virex-E架构,具有比Spartan-2更多的逻辑门、用户I/O和更高的性能。赛灵思还为其提供了包括存储器控制器、系统接口、DSP、通信以及网络等IP核,并可以运行CPU软核,对DSP有一定的支持。其主要特点如下所示: 采用0.15工艺,密度达到15552逻辑单元; 高系统时钟可达200MHz; 大门数为60万门,多具有4个延时锁相环; 核电压为1.2V,I/Q电压可为1.2V、3.3V、2.5V,支持19个可选的I/O标准; 大可达288k的块RAM和221K的分布式RAM