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VBsemi芯片 微碧半导体 STN8205D MOS管 SOT23-6封装 场效应管
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MOS管
技术参数
| 品牌： | VBsemi台湾微碧 |
| 型号： | STN8205D |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | SOT23-6 |
| 沟道类型： | P+P沟道 |
| 漏源电压（Vdss）： | -20V |
| 漏极电流（Id）： | -4A |
| 漏源导通电阻（RDS On）： | 65mΩ@-4.5V |
| 栅源电压（Vgs）： | ±12 |
| 耗散功率（W）： | 1.4 |
品牌介绍
规格书
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、**/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居
联系电话是86-400-6558788-, 主要经营mos管、场效应管、P沟道MOS、N沟道MOS。
单位注册资金单位注册资金人民币 1000 - 5000 万元。
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