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FF100R12RT4 功率晶闸管半导体模块
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种类：绝缘栅(MOSFET)封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：GE-N-FET锗N沟道用途：CHOP/斩波、限幅相数：单相夹断电压：1200v较大漏较电流：300A封装：标准封装批号：new可控硅类型：硅（si）封装材料：塑料封装控制方式：双向频率特性：中频功率特性：中功率关断速度：普通散热功能：不带散热片控制较触发电压：100A
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单位注册资金单位注册资金人民币 500 - 1000 万元。
