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功率晶闸管半导体模块 FZ1200R17KF6C_B2 1200A IGBT-Module
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QQ：*种类：绝缘栅(MOSFET)封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：GE-N-FET锗N沟道用途：CHOP/斩波、限幅相数：单相开启电压：1600v夹断电压：1600v较大漏较电流：300A封装：标准封装批号：new可控硅类型：硅（si）封装材料：塑料封装控制方式：双向频率特性：中频功率特性：中功率关断速度：普通散热功能：不带散热片控制较触发电压：800A
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