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功率晶闸管半导体模块 IGBT-Module FZ1200R17KE3_B2 1200A
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QQ：3604787413种类：绝缘栅(MOSFET)封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：GE-N-FET锗N沟道用途：CHOP/斩波、限幅相数：单相开启电压：1600v夹断电压：1600v较大漏较电流：300A封装：标准封装批号：new可控硅类型：硅（si）封装材料：塑料封装控制方式：双向频率特性：中频功率特性：中功率关断速度：普通散热功能：不带散热片控制较触发电压：800A
富士/Fuji、三菱/Mitsubishi、英飞凌/Infineon、西门康/Semikron、仙童、ABB、三社/SANREX、美国IR、艾赛斯/IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；FZ1800R17KF6C_B2 1800A,1700V 原装
FZ2400R17KE3 2400A,1700V 原装
FZ2400R17KE3_B2 2400A,1700V 原装
FZ2400R17KE3_B9 2400A,1700V 原装
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西门康 二管
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FZ200R65KF2 200A,6500V 原装
FZ1000R33HE3 1000A,3300V 原装
FZ900R12KE4 900A,1200V,IGBT4 原装
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公司主营原装进口电子元器件：Infineon（英飞凌），Semikron（西门康），IXYS（艾赛斯）,SANREX(三社)，FUJI（富士），Mitsubishi （三菱），Siemens（西门子），Bussmann（巴斯曼），Westcode（西玛），美国IR 、日之出等厂家IGBT可控硅功率半导体模块、晶闸管、二管、整流桥、熔断器等，本公司商品均为，实物实拍，优势，大量库存~品种齐全、价格优惠、欢迎咨询！!
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单位注册资金单位注册资金人民币 500 - 1000 万元。
