深圳市希罗斯科技有限公司是一家主营Xilinx/Broadcom/Altera/AD/TI的分销商, 为国内研究所机构及高等院校提供一站式服务平台。型号齐全,长期供应,信誉度高。我们能提供的产品广泛,应用于航空航天、船舶、汽车电子、计算机、铁路、电子、通信网络、电力工业以及大型工业设备等。深圳市希罗斯科技有限公司坚守以客户,质量,信誉的原则,层层把关渠道,把控质量,每片产品来源可追溯,得到了广大客户的认可和支持。
产品定位:工业级及以上电子元器件。
主营产品:FPGA,AD/DA转换器,DSP,嵌入式可编程门阵,运算放大器,开发板等。
Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)基于单片微波集成电路(MMIC)。 GaN具有优异的性能相比,硅或化镓,包括高的击穿电压,高饱和电子漂移速度,高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了大的功率密度和宽的带宽相比,Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器,使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装,配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信,这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
X-波段的产品系列包括4个新的GaNHEMT晶体管,两个卫星通信(CGHV96050F1和CGH96100F1)和两个商业的应用(CGHV96050F2和CGHV96100F2)。所有四个晶体管提供小尺寸封装(0.9×0.7“)。
和的优点,在使用这些新的GaN器件多可到三倍大时相比,可用的GaAs MESFET晶体管。另外,视频带宽宽的GaN HEMT晶体管允许在多载波应用中的使用与双音间距高达70MHz。
匹配的GaN HEMT晶体管补充以前发布的包装MMIC产品,的CMPA5585025F和CMPA801B025F,也可作为驱动的CGHV96050或CGHV96100。
优势产品系列:
CGHV14800
CGHV96050F2
CMPA5585025D
CMPA0060025D
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA601C025D
CMPA601C025F
CMPA2560025F
CGH40006P
CGH40025
CGH40035
CGH40010
CGH40006S
CGH40045
CMPA801B025
CMPA0060002D
CGHV22100
CGH35060F
CGH35030
CGH35015
CGH09120F
CMPA5585025F
CGHV27030S
CGHV27015S
CGH27060
CGH27030S
CGH27030
CGH27015
CGHV40050
CGH40090PP
CMPA2735075F
CGHV96100F2
CGHV59350
CGHV35150
CGHV31500F
CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势:
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V,源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域:
• 卫星通讯
• 视距通信