TOSHIBA 东芝场效应管2SK4013 封装TO-220F 参数6A 800V

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发货地址：广东深圳包装说明：不限
产品数量：9000.00 PCS产品规格：不限
信息编号：201216581公司编号：23073803
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产品类别	功率MOSFET
材料	西
配置	单株
工艺技术	PI-MOS IV
信道模式	增强
通道类型	N
每片元素数	1
漏源电压(V)	800
栅源电压(V)	±30
门限值电压(V)	4
连续漏电流(A)	6
栅源漏电流(NA)	10000
IDSS(UA)	100
漏源电阻	1700@10V
典型门电荷@VGS(NC)	45@10V
典型栅电荷@10V(NC)	45
典型输入电容@VDS(PF)	1400@25V
功耗	45000
典型下降时间(Ns)	65
典型上升时间(Ns)	25
最低工作温度(摄氏度)	-55
工作温度(摄氏度)	150
供应商包装	-220 SIS
针数	3
标准包名	至220
安装	通孔
包装高度	15
包装长度	10
封装宽度	4.5
PCB变换	3
附签	附签
铅形	通孔

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TOSHIBA 东芝场效应管2SK4013 封装TO-220F 参数6A 800V