深圳市兴科泰科技有限公司
2SK4115 TOSHIBA 功率管
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产品类别 | 功率MOSFET |
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材料 | 西 |
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配置 | 单株 |
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信道模式 | 增强 |
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通道类型 | N |
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每片元素数 | 1 |
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漏源电压(V) | 900 |
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栅源电压(V) | ±30 |
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连续漏电流(A) | 7 |
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漏源电阻 | 2000@10V |
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典型门电荷@VGS(NC) | 45@10V |
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典型栅电荷@10V(NC) | 45 |
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典型输入电容@VDS(PF) | 1650@25V |
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功耗 | 150000 |
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典型下降时间(Ns) | 70 |
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典型上升时间(Ns) | 50 |
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典型的关断延迟时间(Ns) | 240 |
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典型的开启延迟时间(Ns) | 90 |
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最低工作温度(摄氏度) | -55 |
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工作温度(摄氏度) | 150 | 供应商包装
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针数 | 3 |
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标准包名 | 至-3PN |
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